SM8007NSF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM8007NSF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для SM8007NSF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM8007NSF даташит

 ..1. Size:236K  sino
sm8007nsf.pdfpdf_icon

SM8007NSF

SM8007NSF N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/66A, RDS(ON)=12m (max.) @ VGS=10V Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) Top View of TO-220 D Applications Synchronous Rectification. G Power Management in Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM8007NS F

 6.1. Size:263K  sino
sm8007nsu.pdfpdf_icon

SM8007NSF

SM8007NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Configuration 80V/66A, D RDS(ON) = 12m (max.) @ VGS = 10V S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Top View of TO-252-3 D Applications G Synchronous Rectification. Power Management in Inverter Systems. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM8007

 9.1. Size:235K  sino
sm8005dsk.pdfpdf_icon

SM8007NSF

SM8005DSK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 D1 D2 80V/4.4A, D2 RDS(ON)= 54m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 63m (max.) @ VGS= 4.5V S1 G1 ESD protected S2 G2 100% UIS + Rg Tested Top View of SOP-8 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D1 D1 D2 D2 (RoHS Compliant) Applications G1 G2 LED Application System. S1 S2

 9.2. Size:263K  sino
sm8008nsu.pdfpdf_icon

SM8007NSF

SM8008NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Configuration 80V/28A, D RDS(ON) = 35m (max.) @ VGS = 10V S RDS(ON )= 43m (max.) @ VGS = 5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-252-3 (RoHS Compliant) D Applications G LCD Application System. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM8008NS U T

Другие IGBT... SM7301DSK, SM7305ESKP, SM7306ESKP, SM7501NSFH, SM7506NF, SM7506NFP, SM7575NSFH, SM7580NSFH, AON7403, SM8008NSU, SM8206ACT, MPF6659, MPF6660, MPF6661, MPF930, MPF960, MPF990