Справочник MOSFET. MPF6661

 

MPF6661 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPF6661
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для MPF6661

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPF6661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  njs
mpf6659 mpf6660 mpf6661.pdfpdf_icon

MPF6661

Другие MOSFET... SM7506NFP , SM7575NSFH , SM7580NSFH , SM8007NSF , SM8008NSU , SM8206ACT , MPF6659 , MPF6660 , HY1906P , MPF930 , MPF960 , MPF990 , VEC2315 , VEC2616 , VN0104N2 , VN0104N3 , VN0104N5 .

History: STF16NF25 | CEP84A4 | BSC123N08NS3G | 2SK2101-01MR | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.