Справочник MOSFET. VN0104N9

 

VN0104N9 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0104N9
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-52
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0104N9 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0104N9

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

 9.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0104N9

 9.2. Size:587K  supertex
vn0106.pdfpdf_icon

VN0104N9

Supertex inc. VN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MPSP60M370 | AP14SL50H | IAUC100N10S5N040 | STU601S | FDU6692 | STE38NB50 | RFP10N12

 

 
Back to Top

 


 
.