Справочник MOSFET. VN0109N5

 

VN0109N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0109N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для VN0109N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0109N5 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:576K  supertex
vn0109.pdfpdf_icon

VN0109N5

Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power

 9.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0109N5

 9.2. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0109N5

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

Другие MOSFET... VN0106N3 , VN0106N5 , VN0106N6 , VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , IRF3710 , VN0109N9 , VN0109ND , VN0300 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 .

History: FTP06N60C | AP09T10GP-HF | SM6028NSKP | STP3N100XI | IXTV36N50PS | AUXFS4409 | FDPF390N15A

 

 
Back to Top

 


 
.