Справочник MOSFET. VN0109N5

 

VN0109N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0109N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для VN0109N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0109N5 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:576K  supertex
vn0109.pdfpdf_icon

VN0109N5

Supertex inc. VN0109N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon-gate Low power drive requirementmanufacturing process. This combination produces a device with Ease of parallelingthe power

 9.1. Size:51K  njs
zvn0106a.pdfpdf_icon

VN0109N5

 9.2. Size:588K  supertex
vn0104.pdfpdf_icon

VN0109N5

Supertex inc. VN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP04N70BS-H | FCP20N60FS

 

 
Back to Top

 


 
.