Справочник MOSFET. VN0300

 

VN0300 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0300
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   ton ⓘ - Время включения: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для VN0300

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  supertex
 vn0300 vn0300 vn0300l.pdf pdf_icon

VN0300

VN0300N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Free from secondary breakdowna vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power handling capab

 0.1. Size:54K  motorola
 vn0300l.rev1.pdf pdf_icon

VN0300

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN0300L/DTMOS FET TransistorVN0300L3 DRAINNChannel EnhancementMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDSS 60 V 123DrainGate Voltage VDGR 60 VGateSource VoltageCASE 2904, STYLE 22 Continuous VGS 20 VdcTO92 (TO

Другие MOSFET... VN0106N7 , VN0106N9 , VN0106ND , VN0109N2 , VN0109N3 , VN0109N5 , VN0109N9 , VN0109ND , IRFB4227 , VN0300L , VN0335N1 , VN0335N5 , VN0335ND , VN0340N1 , VN0340N5 , VN0360N1 , VN0360N5 .

 

 
Back to Top

 


 
.