Справочник MOSFET. VN0340N5

 

VN0340N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN0340N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для VN0340N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN0340N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  supertex
 vn0340n1 vn0340n5.pdf pdf_icon

VN0340N5

VN0335VN0340N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS/RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-3 TO-39 TO-220 Dice350V 2.5 3A VN0335N1 VN0335N2 VN0335N5 VN0335ND400V 2.5 3A VN0340N1 VN0340N2 VN0340N5 VN0340ND MIL visual screening availableHigh Reliability DevicesAdvanced DMOS TechnologySee pages 5-4 and 5-5 for MI

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2N6794JANT

 

 
Back to Top

 


 
.