VN10K-TO18 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

VN10K-TO18 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: VN10K-TO18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tonⓘ - Время включения: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-18

Аналог (замена) для VN10K-TO18

VN10K-TO18 Datasheet (PDF)

..1. Size:223K semelab
vn10k-to18.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET VN10K Low RDS(on), VGS(th), CISS And Fast Switching Speeds Hermetic TO-18 Metal package. Ideally Suited For Power Supply Circuits, Switching And Driver (Relay, Solenoid, Lamp etc..) Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 60V VGS G

9.1. Size:57K 1
vn0610l vn10kls vn2222l.pdf

VN0610L, VN10KLS, VN2222LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETs with Zener GatePRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VN0610L 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.27VN10KLS 60 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.31VN2222L 7.5 @ VGS = 10 V 0.6 to 2.5 0.23FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Zener Diode Input Protected D Extra ESD Protection D Drivers: Rel

9.2. Size:57K vishay
vn0610l vn10kls vn2222l.pdf

9.3. Size:51K vishay
vn10kc.pdf

VN10KCNew ProductVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)60 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.31FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Zener Diode Input Protected D Extra ESD Protection D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors, etc.D Low On-Resistance: 3 W D Low Offset VoltageD Batt

9.4. Size:571K supertex
vn10k.pdf

Supertex inc. VN10KN-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General DescriptionThis enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a Free from secondary breakdownvertical DMOS structure and Supertexs well-proven, silicon- Low power drive requirementgate manufacturing process. This combination produces a Ease of parallelingdevice with the power

9.5. Size:129K semelab
vn10kcsm4.pdf