VN1310. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN1310

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для VN1310

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN1310 даташит

 ..1. Size:84K  njs
 vn1304 vn1306 vn1310.pdf pdf_icon

VN1310

Другие IGBT... VN10KCSM4, VN10K-TO18, VN10LE, VN10LLS, VN10LM, VN1206, VN1304, VN1306, 12N60, VN2106, VN2110, VN2210N2, VN2210N3, VN2222KM, VN2222LLG, VN2222LM, VN2224