Справочник MOSFET. VN2450N8

 

VN2450N8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VN2450N8
   Маркировка: VN4E*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для VN2450N8

 

 

VN2450N8 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:699K  supertex
 vn2450.pdf

VN2450N8 VN2450N8

Supertex inc. VN2450N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes Low power drive requirement a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven Ease of paralleling silicon-gate manufacturing process. This combination Low CISS and fast switching speed

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top