SML3525BN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML3525BN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 563 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для SML3525BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML3525BN даташит

 ..1. Size:345K  semelab
 sml3520bn sml3525bn.pdf pdf_icon

SML3525BN

 7.1. Size:366K  semelab
 sml3520an sml3525an sml4020an.pdf pdf_icon

SML3525BN

 7.2. Size:360K  semelab
 sml3520hn sml3525hn.pdf pdf_icon

SML3525BN

Другие IGBT... SML30B48F, SML30J130F, SML30J70F, SML30L76F, SML3520AN, SML3520BN, SML3520HN, SML3525AN, IRF9540N, SML3525HN, SML4020AN, SML40H19, SML50A23, SML50C15, SML50J10RU2, SML50J44F, SML50L47F