Справочник MOSFET. SML50L47F

 

SML50L47F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML50L47F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-264AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML50L47F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:24K  semelab
sml50l47f.pdfpdf_icon

SML50L47F

SML50L47TO264AA Package Outline.Dimensions in mm (inches)1.80 (0.071)2.01 (0.079) NCHANNEL4.60 (0.181) 19.51 (0.768)5.21 (0.205) 26.49 (0.807)3.10 (0.122)ENHANCEMENT MODE3.48 (0.137)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2 32.29 (0.090)ID(cont) 44A2.69 (0.106)2.79 (0.110)3.18 (0.125)RDS(on) 0.1000.48 (0.019) 0.76 (0.030)0.84 (0.033) 1.30 (0.051)

 6.1. Size:20K  semelab
sml50l47.pdfpdf_icon

SML50L47F

SML50L47TO264AA Package Outline.Dimensions in mm (inches)1.80 (0.071)2.01 (0.079) NCHANNEL4.60 (0.181) 19.51 (0.768)5.21 (0.205) 26.49 (0.807)3.10 (0.122)ENHANCEMENT MODE3.48 (0.137)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2 32.29 (0.090)ID(cont) 47A2.69 (0.106)2.79 (0.110)3.18 (0.125)RDS(on) 0.1000.48 (0.019) 0.76 (0.030)0.84 (0.033) 1.30 (0.051)

 8.1. Size:20K  semelab
sml50l37.pdfpdf_icon

SML50L47F

SML50L37TO264AA Package Outline.Dimensions in mm (inches)1.80 (0.071)2.01 (0.079) NCHANNEL4.60 (0.181) 19.51 (0.768)5.21 (0.205) 26.49 (0.807)3.10 (0.122)ENHANCEMENT MODE3.48 (0.137)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 500V1 2 32.29 (0.090)ID(cont) 37A2.69 (0.106)2.79 (0.110)3.18 (0.125)RDS(on) 0.1400.48 (0.019) 0.76 (0.030)0.84 (0.033) 1.30 (0.051)

 9.1. Size:20K  semelab
sml50a19.pdfpdf_icon

SML50L47F

SML50A19TO3 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99) ENHANCEMENT MODE6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)HIGH VOLTAGE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)POWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 18.5A3(case)RDS(on) 0.2403.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50) Faster Switching Lower LeakagePin 1

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HTN030N03 | 2SK3987-01S | IPI139N08N3G | SL5N100F | H4422S | SIS862DN | STL25N15F4

 

 
Back to Top

 


 
.