Справочник MOSFET. SML8065BVR

 

SML8065BVR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML8065BVR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML8065BVR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:20K  semelab
sml8065bvr.pdfpdf_icon

SML8065BVR

SML8065BVRTO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 800V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 13A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.6502.

 9.1. Size:19K  semelab
sml80t27.pdfpdf_icon

SML8065BVR

SML80T27T247clip Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610)NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODE5.38 (0.212)6.20 (0.244)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS2VDSS 800V1 2 32.87 (0.113)ID(cont) 27A0.40 (0.016)3.12 (0.123) 0.79 (0.031)1.65 (0.065)2.13 (0.084) RDS(on) 0.3001.01 (0.040)1.40 (0.055

 9.2. Size:25K  semelab
sml80b13f.pdfpdf_icon

SML8065BVR

SML80B13FTO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 800V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 13A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.6502.2

 9.3. Size:26K  semelab
sml80h14.pdfpdf_icon

SML8065BVR

SML80H14TO258 Package Outline.Dimensions in mm (inches)6.86 (0.270)NCHANNEL6.09 (0.240)17.65 (0.695)17.39 (0.685)1.14 (0.707)ENHANCEMENT MODE0.88 (0.035)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS4.19 (0.165)3.94 (0.155)Dia.1 2 3VDSS 800VID(cont) 13.5ARDS(on) 0.5805.08 (0.200) 3.56 (0.140)BSC BSC Faster Switching1.65 (0.065)1.39 (0.055) Lower

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.