Справочник MOSFET. SML80B13F

 

SML80B13F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML80B13F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML80B13F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  semelab
 sml80b13f.pdf pdf_icon

SML80B13F

SML80B13FTO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 800V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 13A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.6502.2

 6.1. Size:21K  semelab
 sml80b13.pdf pdf_icon

SML80B13F

SML80B13TO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 800V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 13A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.6502.21

 7.1. Size:21K  semelab
 sml80b16.pdf pdf_icon

SML80B13F

SML80B16TO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 800V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 16A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.5602.21

 7.2. Size:54K  semelab
 sml80b16f.pdf pdf_icon

SML80B13F

SML80B16FTO247AD Package Outline.NCHANNELDimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610)ENHANCEMENT MODE5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150) VDSS 800V1 2 3ID(cont) 16A1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)0.79 (0.031) 2.87 (0.113)RDS(on) 0.5603.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.