IXTM10N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTM10N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO204
Аналог (замена) для IXTM10N100
IXTM10N100 Datasheet (PDF)
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf
VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf
Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine
Другие MOSFET... IXTH6N90A , IXTH75N10 , IXTH7P50 , IXTH8P50 , IXTK21N100 , IXTK33N45 , IXTK33N50 , IXTK74N20 , IRF1407 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , IXTM12N100 , IXTM12N50A , IXTM12N90 , IXTM13N80 , IXTM14N80 , IXTM15N60 .
History: IRLM110A | MEM2303M3 | FDMS7676 | G11 | 03N06
History: IRLM110A | MEM2303M3 | FDMS7676 | G11 | 03N06
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor