IXTM10N100 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTM10N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTM10N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXTM10N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM10N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM10N100

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 7.1. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTM10N100

 7.2. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTM10N100

 9.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTM10N100

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH6N90A , IXTH75N10 , IXTH7P50 , IXTH8P50 , IXTK21N100 , IXTK33N45 , IXTK33N50 , IXTK74N20 , 20N50 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , IXTM12N100 , IXTM12N50A , IXTM12N90 , IXTM13N80 , IXTM14N80 , IXTM15N60 .

History: NTP095N65S3HF | KIA2803A-263 | KIA2808A-220 | IRFSL9N60APBF | VS3645GA | APT8090AN | LSGC10R080W3

 

 
Back to Top

 


 
.