SML901R1AN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML901R1AN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-3

Аналог (замена) для SML901R1AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML901R1AN даташит

 ..1. Size:60K  semelab
 sml1001r sml901r sml901r1an sml901r3an.pdf pdf_icon

SML901R1AN

SML1001R1AN 1000V 9.5A 1.10 SML901R1AN 900V 9.5A 1.10 SEME SML1001R3AN 1000V 8.5A 1.30 SML901R3AN 900V 8.5A 1.30 LAB TO3 Package Outline. Dimensions in mm (Inches) POWER MOS IV N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS (Tcase =25 C unless otherwise stated) SML Parameter 901R1AN 1001R1AN 901R3AN 1001R3AN Unit 900 1000 900 1000 V VDSS Drain S

 6.1. Size:18K  semelab
 sml1001rhn sml901rhn sml901r1hn.pdf pdf_icon

SML901R1AN

SML1001RHN SML901RHN0 TO 258 Package Outline. 4TH GENERATION MOSFET Dimensions in mm (Inches) 6.86 (0.270) 6.09 (0.240) 17.65 (0.695) 17.39 (0.685) 1.14 (0.707) N CHANNEL 0.88 (0.035) ENHANCEMENT MODE 4.19 (0.165) HIGH VOLTAGE 3.94 (0.155) Dia. 1 2 3 POWER MOSFETS D 5.08 (0.200) 3.56 (0.140) G BSC BSC 1.65 (0.065) 1.39 (0.055) S Typ. Pin 1 Drain Pin 2 Sourc

 9.1. Size:19K  semelab
 sml9030-220m.pdf pdf_icon

SML901R1AN

SML9030 220M MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) P CHANNEL MOS 4.70 5.00 10.41 TRANSISTOR 0.70 10.67 0.90 3.56 Dia. VDSS 50V 3.81 ID(cont) 13.2A RDS(on) 0.15 1 2 3 FEATURES P CHANNEL REPETITIVE AVALANCHE RATED 0.89 DYNAMIC dv/dt RATING 1.14 2.54 2.65 FAST SWITCHING BSC 2.75 EASE OF PARALLELING TO 220 Metal Package SIMPLE DR

 9.2. Size:20K  semelab
 sml9030-t254 sml9030.pdf pdf_icon

SML901R1AN

SML9030 T254 MECHANICAL DATA P CHANNEL Dimensions in mm (inches) MOS 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) TRANSISTOR Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) VDSS 50V ID(cont) 18A RDS(on) 0.14 1 2 3 FEATURES P CHANNEL REPETITIVE AVALANCHE RATED DYNAMIC dv/dt RATING 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81 (0.150) FAST SWITCHI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SML8056BVR, SML8065BVR, SML8075BVR, SML80B13F, SML80B16F, SML80J25F, SML80J44F, SML80L27F, AON7506, SML901R1HN, SML901R3AN, SML902R4BN, SML902RBN, SML9030-220M, SML9030-220M-ISO, SML9030-T254, SMM2348ES