Справочник MOSFET. IXTM10N90

 

IXTM10N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM10N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 145 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXTM10N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM10N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTM10N90

 7.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM10N90

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 7.2. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTM10N90

 9.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTM10N90

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 3SK128P | FDS6984AS | 2N6768JAN

 

 
Back to Top

 


 
.