IXTM12N90 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTM12N90 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTM12N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXTM12N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM12N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTM12N90

 7.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM12N90

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 7.2. Size:62K  ixys
 ixth12n50a ixtm12n50a.pdf pdf_icon

IXTM12N90

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH 12 N50A 500 V 12 A 0.4 Power MOSFETIXTM 12 N50A 500 V 12 A 0.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C12 AIDM TC

 7.3. Size:65K  ixys
 ixth12n45 ixth12n45a ixth12n50 ixtm12n45 ixtm12n45a ixtm12n50.pdf pdf_icon

IXTM12N90

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTK33N45 , IXTK33N50 , IXTK74N20 , IXTM10N100 , IXTM10N90 , IXTM11N80 , IXTM12N100 , IXTM12N50A , STF13NM60N , IXTM13N80 , IXTM14N80 , IXTM15N60 , IXTM20N60 , IXTM21N50 , IXTM24N50 , IXTM35N30 , IXTM40N30 .

History: IXTK74N20

 

 
Back to Top

 


 
.