VS-FA72SA50LC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS-FA72SA50LC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для VS-FA72SA50LC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS-FA72SA50LC даташит

 ..1. Size:306K  vishay
 vs-fa72sa50lc.pdf pdf_icon

VS-FA72SA50LC

VS-FA72SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 72 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge device SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 9.1. Size:280K  vishay
 vs-fa40sa50lc.pdf pdf_icon

VS-FA72SA50LC

VS-FA40SA50LC www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 40 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance SOT-227 UL approved file E78996 Designed for industrial level Materi

Другие IGBT... VP2206N2, VP2206N3, VP2450N3, VP2450N8, VP3203N3, VP3203N8, VP5225, VS-FA40SA50LC, 10N60, VS-FB190SA10, VS-FC220SA20, VS-FC80NA20, VT6J1, VT6K1, VT6M1, HAF1002L, HAF1002S