Справочник MOSFET. IXTM20N60

 

IXTM20N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTM20N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO204

 Аналог (замена) для IXTM20N60

 

 

IXTM20N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf

IXTM20N60 IXTM20N60

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 ..2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf

IXTM20N60 IXTM20N60

IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p

 9.1. Size:65K  ixys
 ixtm2n100 ixtm2n100a ixtm2n95 ixtm2n95a ixtp2n100a ixtp2n95 ixtp2n95a.pdf

IXTM20N60

 9.2. Size:108K  ixys
 ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdf

IXTM20N60 IXTM20N60

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 21N50 21 A

 9.3. Size:253K  inchange semiconductor
 ixtm24n50.pdf

IXTM20N60 IXTM20N60

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTM24N50FEATURESWith To-3 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top