Справочник MOSFET. HFD5N60U

 

HFD5N60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFD5N60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для HFD5N60U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFD5N60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  semihow
 hfd5n60u.pdf pdf_icon

HFD5N60U

Jan 2014BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60U / HFU5N60U ID = 3.6 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD5N60U HFU5N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC

 ..2. Size:357K  semihow
 hfd5n60u hfu5n60u.pdf pdf_icon

HFD5N60U

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60U / HFU5N60U ID = 3.6 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAKFEATURES21 Originative New Design13 23 Superior Avalanche Rugged TechnologyHFD5N60U HFU5N60U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC

 7.1. Size:205K  semihow
 hfd5n60s.pdf pdf_icon

HFD5N60U

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 2.0 HFD5N60S / HFU5N60SID = 4.3 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK22FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ

 7.2. Size:324K  semihow
 hfd5n60s hfu5n60s.pdf pdf_icon

HFD5N60U

June 2015BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFD5N60S / HFU5N60SID = 4.3 A600V N-Channel MOSFETD-PAK I-PAK2FEATURES113 23 Originative New DesignHFD5N60S HFU5N60S Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFD2N70S , HFD2N90 , HFD3N80 , HFD4N50 , HFD5N40 , HFD5N50S , HFD5N50U , HFD5N60S , RU6888R , HFD5N65S , HFD5N65U , HFD5N70S , HFD5N70U , HFD630 , HFD6N60U , HFD6N65U , HFD6N70U .

History: STL60NH3LL | APT22M100JCU2 | HGI040N06SL | PH7030AL | FQA16N50 | DMP610DL | BL3N90E-P

 

 
Back to Top

 


 
.