HFP12N60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFP12N60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HFP12N60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP12N60U даташит

 ..1. Size:171K  semihow
 hfp12n60u.pdf pdf_icon

HFP12N60U

July 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.53 HFP12N60U ID = 12 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 6.1. Size:255K  semihow
 hfp12n60s.pdf pdf_icon

HFP12N60U

Nov 2007 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = 0.53 HFP12N60S ID = 12 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ ) Ext

 7.1. Size:246K  semihow
 hfp12n65s.pdf pdf_icon

HFP12N60U

Aug 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.67 HFP12N65S ID = 12 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge 38 nC (Typ ) Ext

 7.2. Size:173K  semihow
 hfp12n65u.pdf pdf_icon

HFP12N60U

July 2014 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 0.67 HFP12N65U ID = 12 A 650V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 42 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFN6N70U, HFP10N60S, HFP10N60U, HFP10N65S, HFP10N65U, HFP10N80, HFP11N40, HFP12N60S, 50N06, HFP12N65S, HFP12N65U, HFP13N50S, HFP13N50U, HFP13N60U, HFP13N65U, HFP18N50U, HFP2N60S