Справочник MOSFET. HFS10N65U

 

HFS10N65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS10N65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS10N65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  semihow
 hfs10n65u.pdf pdf_icon

HFS10N65U

Oct 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.8 HFS10N65UID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 6.1. Size:159K  semihow
 hfs10n65s.pdf pdf_icon

HFS10N65U

March 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS10N65SID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 6.2. Size:634K  semihow
 hfs10n65js.pdf pdf_icon

HFS10N65U

Feb 2023HFS10N65JS650V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Superior Avalanche Rugged TechnologyBVDSS 650 V Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic CapacitancesID 10 A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.82 100% Avalanche TestedQg, Typ 36.3 nC RoHS CompliantTO-220FS SymbolSDGAbsolute Maximum

 7.1. Size:302K  semihow
 hfs10n60u.pdf pdf_icon

HFS10N65U

Oct 2013BVDSS = 600 VRDS(on) typ = 0.67 HFS10N60UID = 9.5 A600V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCEP1520K | NCEP4090GU | SPB100N06S2-05 | SNN3515D

 

 
Back to Top

 


 
.