HFS2N65U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS2N65U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS2N65U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS2N65U даташит

 ..1. Size:302K  semihow
 hfs2n65u.pdf pdf_icon

HFS2N65U

Nov 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 5 HFS2N65U ID = 2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower

 7.1. Size:182K  semihow
 hfs2n65s.pdf pdf_icon

HFS2N65U

Sep 2009 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS2N65S ID = 1.8 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 6.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS

 8.1. Size:150K  semihow
 hfs2n60.pdf pdf_icon

HFS2N65U

July 2005 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS2N60 ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 9.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS

 8.2. Size:391K  semihow
 hfp2n60f hfs2n60f.pdf pdf_icon

HFS2N65U

Oct 2016 HFP2N60F / HFS2N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 2A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 6.5 nC RoHS Compliant HFP2N60F HFS2N60F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unles

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS13N50U, HFS13N60U, HFS13N65U, HFS18N50U, HFS2N60, HFS2N60S, HFS2N60U, HFS2N65S, 2SK3568, HFS2N70S, HFS2N90, HFS3N80, HFS4N50, HFS4N60, HFS4N90, HFS50N06, HFS5N50S