HFS4N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS4N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS4N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS4N50 даташит

 ..1. Size:236K  semihow
 hfs4n50.pdf pdf_icon

HFS4N50

July 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS4N50 ID = 3.4 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 9.1. Size:406K  semihow
 hfp4n60f hfs4n60f.pdf pdf_icon

HFS4N50

Oct 2016 HFP4N60F / HFS4N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 4A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 2.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 8.5 nC RoHS Compliant HFP4N60F HFS4N60F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unles

 9.2. Size:177K  semihow
 hfs4n60.pdf pdf_icon

HFS4N50

July 2005 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS4N60 ID = 4.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 15 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

 9.3. Size:369K  semihow
 hfs4n60fs.pdf pdf_icon

HFS4N50

Oct 2016 HFS4N60FS 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 4A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 2.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 8.5 nC Single Gauge Package TO-220FS Symbol S D G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Symbol Parameter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS2N60, HFS2N60S, HFS2N60U, HFS2N65S, HFS2N65U, HFS2N70S, HFS2N90, HFS3N80, SI2302, HFS4N60, HFS4N90, HFS50N06, HFS5N50S, HFS5N50U, HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S