Справочник MOSFET. IXTM6N90A

 

IXTM6N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM6N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO204
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM6N90A Datasheet (PDF)

 6.1. Size:104K  ixys
 ixth6n90-a ixtm6n90-a.pdf pdf_icon

IXTM6N90A

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N90 900 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N90A 900 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 AT

 8.1. Size:63K  ixys
 ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf pdf_icon

IXTM6N90A

 8.2. Size:102K  ixys
 ixth6n80-a ixtm6n80-a.pdf pdf_icon

IXTM6N90A

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N80 800 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N80A 800 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 ATO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.