Справочник MOSFET. IXTM6N90A

 

IXTM6N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM6N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXTM6N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM6N90A Datasheet (PDF)

 6.1. Size:104K  ixys
 ixth6n90-a ixtm6n90-a.pdf pdf_icon

IXTM6N90A

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N90 900 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N90A 900 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 AT

 8.1. Size:63K  ixys
 ixtm6n60 ixtm6n60a ixtp6n60 ixtp6n60a.pdf pdf_icon

IXTM6N90A

 8.2. Size:102K  ixys
 ixth6n80-a ixtm6n80-a.pdf pdf_icon

IXTM6N90A

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH / IXTM 6N80 800 V 6 A 1.8 Power MOSFETIXTH / IXTM 6N80A 800 V 6 A 1.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 ATO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTM42N20 , IXTM50N20 , IXTM5N100 , IXTM5N100A , IXTM67N10 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IRF520 , IXTM75N10 , IXTN21N100 , IXTP15N25MA , IXTP15N25MB , IXTP15N30MA , IXTP15N30MB , IXTP1N100 , IXTP22N15MA .

History: IRLR010 | FDMS6673BZ | 2SJ302 | SVSP35NF65P7D3 | IXTP28P065T

 

 
Back to Top

 


 
.