HFS5N50U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS5N50U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS5N50U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS5N50U даташит

 ..1. Size:194K  semihow
 hfs5n50u.pdf pdf_icon

HFS5N50U

May 2012 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS5N50U ID = 5.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 7.1. Size:198K  semihow
 hfs5n50s.pdf pdf_icon

HFS5N50U

OCT 2008 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS5N50S ID = 5.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 15.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:163K  semihow
 hfs5n70s.pdf pdf_icon

HFS5N50U

Aug 2012 BVDSS = 700 V RDS(on) typ HFS5N70S ID = 4.0 A 700V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 10.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.2. Size:792K  semihow
 hfs5n65sa.pdf pdf_icon

HFS5N50U

Dec. 2021 BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 2.3 HFS5N65SA ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 14.2 nC (Typ.) Extended Safe Op

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS2N70S, HFS2N90, HFS3N80, HFS4N50, HFS4N60, HFS4N90, HFS50N06, HFS5N50S, IRF2807, HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80, HFS630, HFS640