HFS6N60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS6N60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.66 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS6N60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS6N60U даташит

 ..1. Size:306K  semihow
 hfs6n60u.pdf pdf_icon

HFS6N60U

July 2012 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS6N60U ID = 6.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.1. Size:306K  semihow
 hfs6n65u.pdf pdf_icon

HFS6N60U

July 2012 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFS6N65U ID = 6.0 A 650V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:173K  semihow
 hfs6n90.pdf pdf_icon

HFS6N60U

Dec 2005 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFS6N90 ID = 6.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

 9.2. Size:305K  semihow
 hfs6n70u.pdf pdf_icon

HFS6N60U

March 2013 BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 1.8 HFS6N70U ID = 6.0 A 700V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 16.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS5N60S, HFS5N60U, HFS5N65S, HFS5N65U, HFS5N70S, HFS5N80, HFS630, HFS640, STP65NF06, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, HFS730U, HFS740, HFS7N80, HFS830