HRS75N75V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HRS75N75V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HRS75N75V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRS75N75V даташит

 ..1. Size:199K  semihow
 hrs75n75v.pdf pdf_icon

HRS75N75V

Fab 2014 BVDSS = 70 V RDS(on) typ = 6 HRS75N75V ID = 48 A 70V N-Channel Trench MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Excellent Switching Characteristics 1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) 6.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Tested Abs

Другие IGBT... HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, HP8KA1, HRD13N10K, HRP75N75V, IRFP260N, HS8K11, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST, HUF75337S3, HUF75343S3, HUF75343S3ST