HRS75N75V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HRS75N75V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 80 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
HRS75N75V Datasheet (PDF)
..1. Size:199K semihow
hrs75n75v.pdf
hrs75n75v.pdf
Fab 2014BVDSS = 70 VRDS(on) typ = 6 HRS75N75V ID = 48 A70V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 80 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.0 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche TestedAbs
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HGA046NE6AL
