Справочник MOSFET. HUF75637S3ST

 

HUF75637S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75637S3ST
   Маркировка: 75637S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75637S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  fairchild semi
 huf75637s3 huf75637s3st.pdf pdf_icon

HUF75637S3ST

HUF75637P3, HUF75637S3SData Sheet December 200144A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.030, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE) - Spice and S

 6.1. Size:201K  fairchild semi
 huf75637.pdf pdf_icon

HUF75637S3ST

HUF75637P3, HUF75637S3SData Sheet December 200144A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.030, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE) - Spice and S

 7.1. Size:227K  fairchild semi
 huf75639s3st.pdf pdf_icon

HUF75637S3ST

HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S,HUF75639S3Data Sheet December 200156A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel FeaturesUltraFET Power MOSFETs 56A, 100VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Electrical Modelsadvanced process technology - Spice and Saber T

 7.2. Size:254K  fairchild semi
 huf75631sk8.pdf pdf_icon

HUF75637S3ST

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CED6042 | UT7317 | BUK7K12-60E | CEC3172 | UT3401ZL-AE3-R | HUF75309T3ST

 

 
Back to Top

 


 
.