Справочник MOSFET. HUF75645S3ST

 

HUF75645S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75645S3ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 117 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75645S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  fairchild semi
 huf75645s3st.pdf pdf_icon

HUF75645S3ST

HUF75645P3, HUF75645S3SData Sheet December 200175A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and Saber Th

 3.1. Size:204K  fairchild semi
 huf75645p3 huf75645s3s.pdf pdf_icon

HUF75645S3ST

HUF75645P3, HUF75645S3SData Sheet December 200175A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and Saber Th

 3.2. Size:391K  onsemi
 huf75645p3 huf75645s3s.pdf pdf_icon

HUF75645S3ST

HUF75645P3, HUF75645S3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET100 V, 75 A, 14 mFeaturesPackaging Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Simulation ModelsSOURCE DRAIN- Temperature Compensated PSPICE and SABERDRAIN (FLANGE)GATEElectrical Models- Spice and Saber Thermal Impedance ModelsGATE

 8.1. Size:198K  fairchild semi
 huf75623s3st.pdf pdf_icon

HUF75645S3ST

HUF75623P3, HUF75623S3STData Sheet December 200122A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.064, VGS = 10V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and SABER T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: UTM4052L-S08-R

 

 
Back to Top

 


 
.