Справочник MOSFET. HUFA75321S3ST

 

HUFA75321S3ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HUFA75321S3ST
   Маркировка: 75321S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB

 Аналог (замена) для HUFA75321S3ST

 

 

HUFA75321S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  fairchild semi
 hufa75321p3 hufa75321s3s hufa75321s3st.pdf

HUFA75321S3ST HUFA75321S3ST

HUFA75321P3, HUFA75321S3SData Sheet December 200135A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 35A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves t

 5.1. Size:226K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3s.pdf

HUFA75321S3ST HUFA75321S3ST

HUFA75321D3, HUFA75321D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

 5.2. Size:224K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3st.pdf

HUFA75321S3ST HUFA75321S3ST

HUFA75321D3, HUFA75321D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

 6.1. Size:292K  fairchild semi
 hufa75329p3 hufa75329s3s.pdf

HUFA75321S3ST HUFA75321S3ST

HUFA75329G3, HUFA75329P3, HUFA75329S3SData Sheet June 200249A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 49A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.024are manufactured using the Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Available on th

 6.2. Size:309K  fairchild semi
 hufa75329d3st hufa75329d3 hufa75329d3s.pdf

HUFA75321S3ST HUFA75321S3ST

HUFA75329D3, HUFA75329D3SData Sheet June 1999 File Number 4426.420A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Mode

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top