Справочник MOSFET. HUFA75321S3ST

 

HUFA75321S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75321S3ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для HUFA75321S3ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75321S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  fairchild semi
 hufa75321p3 hufa75321s3s hufa75321s3st.pdf pdf_icon

HUFA75321S3ST

HUFA75321P3, HUFA75321S3SData Sheet December 200135A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 35A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves t

 5.1. Size:226K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3s.pdf pdf_icon

HUFA75321S3ST

HUFA75321D3, HUFA75321D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

 5.2. Size:224K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3st.pdf pdf_icon

HUFA75321S3ST

HUFA75321D3, HUFA75321D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

 6.1. Size:292K  fairchild semi
 hufa75329p3 hufa75329s3s.pdf pdf_icon

HUFA75321S3ST

HUFA75329G3, HUFA75329P3, HUFA75329S3SData Sheet June 200249A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 49A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.024are manufactured using the Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Available on th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUFA75309D3 , HUFA75309D3S , HUFA75309P3 , HUFA75309T3ST , HUFA75321D3 , HUFA75321D3ST , HUFA75321P3 , HUFA75321S3S , IRF520 , HUFA75329D3 , HUFA75329D3S , HUFA75329D3ST , HUFA75329P3 , HUFA75329S3S , HUFA75332G3 , HUFA75332S3S , HUFA75333P3 .

History: PMGD8000LN | SIR436DP | CEB703AL | TPD70R950M | AP13N50R | FQI1P50TU | 2SJ280S

 

 
Back to Top

 


 
.