HUFA75329D3S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUFA75329D3S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

Аналог (замена) для HUFA75329D3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75329D3S даташит

 ..1. Size:309K  fairchild semi
 hufa75329d3st hufa75329d3 hufa75329d3s.pdf pdf_icon

HUFA75329D3S

HUFA75329D3, HUFA75329D3S Data Sheet June 1999 File Number 4426.4 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 20A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Mode

 5.1. Size:292K  fairchild semi
 hufa75329p3 hufa75329s3s.pdf pdf_icon

HUFA75329D3S

HUFA75329G3, HUFA75329P3, HUFA75329S3S Data Sheet June 2002 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 49A, 55V These N-Channel power MOSFETs Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.024 are manufactured using the Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Available on th

 6.1. Size:232K  fairchild semi
 hufa75321p3 hufa75321s3s hufa75321s3st.pdf pdf_icon

HUFA75329D3S

HUFA75321P3, HUFA75321S3S Data Sheet December 2001 35A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 35A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves t

 6.2. Size:226K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3s.pdf pdf_icon

HUFA75329D3S

HUFA75321D3, HUFA75321D3S Data Sheet December 2001 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 20A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA75309P3, HUFA75309T3ST, HUFA75321D3, HUFA75321D3ST, HUFA75321P3, HUFA75321S3S, HUFA75321S3ST, HUFA75329D3, IRFB31N20D, HUFA75329D3ST, HUFA75329P3, HUFA75329S3S, HUFA75332G3, HUFA75332S3S, HUFA75333P3, HUFA75333S3S, HUFA75333S3ST