Справочник MOSFET. HUFA75337S3S

 

HUFA75337S3S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75337S3S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для HUFA75337S3S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75337S3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  fairchild semi
 hufa75337g3 hufa75337p3 hufa75337s3s hufa75337s3st.pdf pdf_icon

HUFA75337S3S

HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

HUFA75337S3S

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.2. Size:268K  fairchild semi
 hufa75332g3 hufa75332s3s.pdf pdf_icon

HUFA75337S3S

HUFA75332G3, HUFA75332P3, HUFA75332S3SData Sheet June 200260A, 55V, 0.019 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 60A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models a

 6.3. Size:226K  fairchild semi
 hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf pdf_icon

HUFA75337S3S

HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUFA75329S3S , HUFA75332G3 , HUFA75332S3S , HUFA75333P3 , HUFA75333S3S , HUFA75333S3ST , HUFA75337G3 , HUFA75337P3 , IRF9640 , HUFA75337S3ST , HUFA75339G3 , HUFA75339S3S , HUFA75339S3ST , HUFA75343G3 , HUFA75343P3 , HUFA75343S3S , HUFA75343S3ST .

History: SI7818DN | BSC019N04LS | CTZ2312A | GT130N03D5 | AO3160 | AM4835EP | DMF7N65

 

 
Back to Top

 


 
.