Справочник MOSFET. HUFA75339G3

 

HUFA75339G3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75339G3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HUFA75339G3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75339G3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  fairchild semi
 hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339G3

HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 hufa75339g3.pdf pdf_icon

HUFA75339G3

Isc N-Channel MOSFET Transistor HUFA75339G3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 6.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339G3

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.2. Size:223K  fairchild semi
 hufa75337g3 hufa75337p3 hufa75337s3s hufa75337s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339G3

HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUFA75332S3S , HUFA75333P3 , HUFA75333S3S , HUFA75333S3ST , HUFA75337G3 , HUFA75337P3 , HUFA75337S3S , HUFA75337S3ST , MMD60R360PRH , HUFA75339S3S , HUFA75339S3ST , HUFA75343G3 , HUFA75343P3 , HUFA75343S3S , HUFA75343S3ST , HUFA75345G3 , HUFA75345P3 .

History: ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | PK5G6EA

 

 
Back to Top

 


 
.