HUFA75339S3ST. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUFA75339S3ST

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для HUFA75339S3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75339S3ST даташит

 ..1. Size:226K  fairchild semi
 hufa75339g3 hufa75339s3s hufa75339s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339S3ST

HUFA75339G3, HUFA75339P3, HUFA75339S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 5.1. Size:258K  inchange semiconductor
 hufa75339g3.pdf pdf_icon

HUFA75339S3ST

Isc N-Channel MOSFET Transistor HUFA75339G3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 6.1. Size:233K  fairchild semi
 hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339S3ST

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3S Data Sheet December 2001 66A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 66A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

 6.2. Size:223K  fairchild semi
 hufa75337g3 hufa75337p3 hufa75337s3s hufa75337s3st.pdf pdf_icon

HUFA75339S3ST

HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA75333S3S, HUFA75333S3ST, HUFA75337G3, HUFA75337P3, HUFA75337S3S, HUFA75337S3ST, HUFA75339G3, HUFA75339S3S, AOD4184A, HUFA75343G3, HUFA75343P3, HUFA75343S3S, HUFA75343S3ST, HUFA75345G3, HUFA75345P3, HUFA75345S3S, HUFA75345S3ST