Справочник MOSFET. HUFA75343G3

 

HUFA75343G3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75343G3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для HUFA75343G3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75343G3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  fairchild semi
hufa75343g3 hufa75343p3 hufa75343s3s hufa75343s3st.pdfpdf_icon

HUFA75343G3

HUFA75343G3, HUFA75343P3, HUFA75343S3SData Sheet December 200175A, 55V, 0.009 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance PSPICE and SABER M

 6.1. Size:329K  fairchild semi
hufa75344g3 hufa75344p3 hufa75344s3s.pdfpdf_icon

HUFA75343G3

HUFA75344G3, HUFA75344P3, HUFA75344S3S,HUFA75344S3Data Sheet December 200475A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance PSPICE a

 6.2. Size:571K  fairchild semi
hufa75345g3 hufa75345p3 hufa75345s3s hufa75345s3st.pdfpdf_icon

HUFA75343G3

HUFA75345G3, HUFA75345P3, HUFA75345S3SData Sheet June 200375A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 75A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models a

 7.1. Size:233K  fairchild semi
hufa75333p3 hufa75333s3s hufa75333s3st.pdfpdf_icon

HUFA75343G3

HUFA75333G3, HUFA75333P3, HUFA75333S3SData Sheet December 200166A, 55V, 0.016 Ohm. N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 66A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models

Другие MOSFET... HUFA75333S3ST , HUFA75337G3 , HUFA75337P3 , HUFA75337S3S , HUFA75337S3ST , HUFA75339G3 , HUFA75339S3S , HUFA75339S3ST , AO3407 , HUFA75343P3 , HUFA75343S3S , HUFA75343S3ST , HUFA75345G3 , HUFA75345P3 , HUFA75345S3S , HUFA75345S3ST , HUFA75429D3ST .

History: AOTF190A60L | 2N3993A | HTM120N03P | AOD498 | VBZE04N03 | BSC500N20NS3G | DMN3135LVT

 

 
Back to Top

 


 
.