Справочник MOSFET. HUFA75623S3ST

 

HUFA75623S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA75623S3ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75623S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  fairchild semi
 hufa75623s3st.pdf pdf_icon

HUFA75623S3ST

HUFA75623P3, HUFA75623S3STData Sheet December 200122A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.064, VGS = 10VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and SABER

 7.1. Size:200K  fairchild semi
 hufa75637p3 hufa75637s3s hufa75637s3st.pdf pdf_icon

HUFA75623S3ST

HUFA75637P3, HUFA75637S3SData Sheet December 200144A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAINDRAIN Ultra Low On-Resistance (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.030, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE) - Spice a

 7.2. Size:196K  fairchild semi
 hufa75617d3s hufa75617d3st.pdf pdf_icon

HUFA75623S3ST

HUFA75617D3, HUFA75617D3SData Sheet December 200116A, 100V, 0.090 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10VGATE (FLANGE) Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical ModelsDRAIN SOURCE- Spice and SABER

 7.3. Size:352K  fairchild semi
 hufa75645s3s.pdf pdf_icon

HUFA75623S3ST

HUFA75645S3SData Sheet December 2001N-Channel UltraFET Power MOSFET100 V, 75 A, 14 mPackaging Features Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-263AB- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN Simulation Models (FLANGE)- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectrical ModelsGATE- Spice and Saber Thermal Impedance ModelsSOURCE- www.fairchild.com Peak Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQI9N25CTU | SM6F03NSU | RSR030N06 | IXTP98N075T | ZVN4206ASTZ | KIA2808A-263 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.