Справочник MOSFET. HUFA75842S3ST

 

HUFA75842S3ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HUFA75842S3ST
   Маркировка: 75842S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 144 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB

 Аналог (замена) для HUFA75842S3ST

 

 

HUFA75842S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  fairchild semi
 hufa75842p3 hufa75842s3s hufa75842s3st.pdf

HUFA75842S3ST HUFA75842S3ST

HUFA75842P3, HUFA75842S3SData Sheet November 2000 File Number 496843A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATESOURCEElectrical ModelsDRAIN-

 7.1. Size:243K  fairchild semi
 hufa75852g3.pdf

HUFA75842S3ST HUFA75842S3ST

HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA

 7.2. Size:191K  fairchild semi
 huf75829d3st huf75829d3 huf75829d3s hufa75829d3s hufa75829d3st.pdf

HUFA75842S3ST HUFA75842S3ST

HUFA75829D3, HUFA75829D3SData Sheet December 200118A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN Ultra Low On-ResistanceSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.110, VGS = 10VGATEGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice

 7.3. Size:210K  fairchild semi
 hufa75823d3s hufa75823d3st.pdf

HUFA75842S3ST HUFA75842S3ST

HUFA75823D3, HUFA75823D3SData Sheet December 200114A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.150, VGS = 10VGATEGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top