Справочник MOSFET. HUFA76407D3ST

 

HUFA76407D3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA76407D3ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: TO-252AA
 

 Аналог (замена) для HUFA76407D3ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76407D3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  fairchild semi
 hufa76407d3st hufa76407d3 hufa76407d3s.pdf pdf_icon

HUFA76407D3ST

HUFA76407D3, HUFA76407D3SData Sheet December 200111A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN DRAINSOURCE Ultra Low On-Resistance (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.092, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.107, VGS = 5VGATESOURCE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE a

 4.1. Size:543K  fairchild semi
 hufa76407dk8t f085.pdf pdf_icon

HUFA76407D3ST

HUFA76407DK8T_F085Data Sheet October 20103.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFeaturesPackagingJEDEC MS-012AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10VBRANDING DASH- rDS(ON) = 0.105, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER 5Electrical Models- SPICE and SABER Thermal Impedance

 4.2. Size:263K  fairchild semi
 hufa76407dk8t.pdf pdf_icon

HUFA76407D3ST

HUFA76407DK8Data Sheet December 20013.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC MS-012AA Ultra Low On-ResistanceBRANDING DASH- rDS(ON) = 0.090, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.105, VGS = 5V Simulation Models5- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models12- SPICE and SABER Thermal Impedan

 5.1. Size:208K  fairchild semi
 hufa76407p3.pdf pdf_icon

HUFA76407D3ST

HUFA76407P3Data Sheet December 200112A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN - rDS(ON) = 0.092, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.107, VGS = 5V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Thermal Impedance M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUFA75829D3S , HUFA75829D3ST , HUFA75842P3 , HUFA75842S3S , HUFA75842S3ST , HUFA75852G3 , HUFA76407D3 , HUFA76407D3S , K3569 , HUFA76407P3 , HUFA76409D3 , HUFA76409P3 , HUFA76413D3 , HUFA76413D3S , HUFA76413P3 , HUFA76419D3 , HUFA76419P3 .

 

 
Back to Top

 


 
.