HUFA76419S3ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76419S3ST  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76419S3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76419S3ST даташит

 ..1. Size:213K  fairchild semi
 hufa76419p3 hufa76419s3s hufa76419s3st.pdf pdf_icon

HUFA76419S3ST

HUFA76419P3, HUFA76419S3S Data Sheet December 2001 27A, 60V, 0.040 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.040 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 5.1. Size:194K  fairchild semi
 hufa76419d3s.pdf pdf_icon

HUFA76419S3ST

HUFA76419D3, HUFA76419D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037 , VGS = 10V DRAIN DRAIN - rDS(ON) = 0.043 , VGS = 5V SOURCE (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER

 5.2. Size:197K  fairchild semi
 hufa76419d3-s hufa76419d f085.pdf pdf_icon

HUFA76419S3ST

HUFA76419D3, HUFA76419D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037 , VGS = 10V DRAIN DRAIN - rDS(ON) = 0.043 , VGS = 5V SOURCE (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER

 5.3. Size:196K  fairchild semi
 hufa76419d3.pdf pdf_icon

HUFA76419S3ST

HUFA76419D3, HUFA76419D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037 , VGS = 10V DRAIN DRAIN - rDS(ON) = 0.043 , VGS = 5V SOURCE (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA76409D3, HUFA76409P3, HUFA76413D3, HUFA76413D3S, HUFA76413P3, HUFA76419D3, HUFA76419P3, HUFA76419S3S, IRFP260, HUFA76423D3S, HUFA76423D3ST, HUFA76423P3, HUFA76423S3S, HUFA76423S3ST, HUFA76429D3S, HUFA76429D3ST, HUFA76429P3