HUFA76429S3ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76429S3ST  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 203 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76429S3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76429S3ST даташит

 ..1. Size:206K  fairchild semi
 hufa76429p3 hufa76429s3s hufa76429s3st.pdf pdf_icon

HUFA76429S3ST

HUFA76429P3, HUFA76429S3S Data Sheet December 2001 44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.022 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.025 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE E

 5.1. Size:229K  fairchild semi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429S3ST

HUFA76429D3, HUFA76429D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 5.2. Size:144K  fairchild semi
 hufa76429d3s hufa76429d3st.pdf pdf_icon

HUFA76429S3ST

HUFA76429D3, HUFA76429D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features Ultra Low On-Resistance DRAIN - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V GATE Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 5.3. Size:638K  onsemi
 hufa76429d3.pdf pdf_icon

HUFA76429S3ST

HUFA76429D3 Data Sheet October 2013 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60 V, 20 A, 27 m Packaging Features JEDEC TO-251AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.023 , VGS = 10V SOURCE - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance Models

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA76423D3ST, HUFA76423P3, HUFA76423S3S, HUFA76423S3ST, HUFA76429D3S, HUFA76429D3ST, HUFA76429P3, HUFA76429S3S, IRFB3607, HUFA76432P3, HUFA76432S3S, HUFA76432S3ST, HUFA76437P3, HUFA76437S3S, HUFA76437S3ST, HUFA76439P3, HUFA76439S3S