Справочник MOSFET. IXTP8N45MB

 

IXTP8N45MB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTP8N45MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXTP8N45MB

 

 

IXTP8N45MB Datasheet (PDF)

 8.1. Size:106K  ixys
 ixtp8n50pm.pdf

IXTP8N45MB IXTP8N45MB

Preliminary Technical InformationIXTP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsOVERMOLDED TO-220(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS

 8.2. Size:238K  ixys
 ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf

IXTP8N45MB IXTP8N45MB

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY8N65X2Power MOSFET ID25 = 8AIXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.3. Size:116K  ixys
 ixtp8n65x2m.pdf

IXTP8N45MB IXTP8N45MB

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTP8N65X2MPower MOSFET ID25 = 4A RDS(on) 550m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGDSVGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

 8.4. Size:229K  ixys
 ixta8n50p ixtp8n50p.pdf

IXTP8N45MB IXTP8N45MB

IXTA 8N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 8N50P ID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 0.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25 C8 AIDM

Другие MOSFET... IXTP22N20MA , IXTP22N20MB , IXTP2N80 , IXTP30N08MA , IXTP30N08MB , IXTP30N10MA , IXTP30N10MB , IXTP8N45MA , NCEP15T14 , IXTP8N50MA , IXTP8N50MB , IXTU01N100 , IXTU01N80 , IXTZ20N60MA , IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB .

 

 
Back to Top