Справочник MOSFET. HUFA76432S3ST

 

HUFA76432S3ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HUFA76432S3ST
   Маркировка: 76432S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB

 Аналог (замена) для HUFA76432S3ST

 

 

HUFA76432S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  fairchild semi
 hufa76432s3s hufa76432s3st.pdf

HUFA76432S3ST HUFA76432S3ST

HUFA76432P3, HUFA76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

 5.1. Size:215K  fairchild semi
 hufa76432p3.pdf

HUFA76432S3ST HUFA76432S3ST

HUFA76432P3, HUFA76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

 6.1. Size:290K  fairchild semi
 hufa76439p3 hufa76439s3s hufa76439s3st.pdf

HUFA76432S3ST HUFA76432S3ST

HUFA76439P3, HUFA76439S3SData Sheet July 200271A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical Mo

 6.2. Size:214K  fairchild semi
 hufa76437p3 hufa76437s3s hufa76437s3st.pdf

HUFA76432S3ST HUFA76432S3ST

HUFA76437P3, HUFA76437S3SData Sheet December 200164A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.017, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top