Справочник MOSFET. HUFA76437S3S

 

HUFA76437S3S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HUFA76437S3S
   Маркировка: 76437S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 216 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB

 Аналог (замена) для HUFA76437S3S

 

 

HUFA76437S3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  fairchild semi
 hufa76437p3 hufa76437s3s hufa76437s3st.pdf

HUFA76437S3S HUFA76437S3S

HUFA76437P3, HUFA76437S3SData Sheet December 200164A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.017, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

 6.1. Size:290K  fairchild semi
 hufa76439p3 hufa76439s3s hufa76439s3st.pdf

HUFA76437S3S HUFA76437S3S

HUFA76439P3, HUFA76439S3SData Sheet July 200271A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical Mo

 6.2. Size:215K  fairchild semi
 hufa76432p3.pdf

HUFA76437S3S HUFA76437S3S

HUFA76432P3, HUFA76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

 6.3. Size:215K  fairchild semi
 hufa76432s3s hufa76432s3st.pdf

HUFA76437S3S HUFA76437S3S

HUFA76432P3, HUFA76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top