HUFA76439S3ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76439S3ST  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76439S3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76439S3ST даташит

 ..1. Size:290K  fairchild semi
 hufa76439p3 hufa76439s3s hufa76439s3st.pdf pdf_icon

HUFA76439S3ST

HUFA76439P3, HUFA76439S3S Data Sheet July 2002 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical Mo

 6.1. Size:214K  fairchild semi
 hufa76437p3 hufa76437s3s hufa76437s3st.pdf pdf_icon

HUFA76439S3ST

HUFA76437P3, HUFA76437S3S Data Sheet December 2001 64A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

 6.2. Size:215K  fairchild semi
 hufa76432p3.pdf pdf_icon

HUFA76439S3ST

HUFA76432P3, HUFA76432S3S Data Sheet December 2001 55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.019 , VGS = 5V GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Ele

 6.3. Size:215K  fairchild semi
 hufa76432s3s hufa76432s3st.pdf pdf_icon

HUFA76439S3ST

HUFA76432P3, HUFA76432S3S Data Sheet December 2001 55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.019 , VGS = 5V GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Ele

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA76432P3, HUFA76432S3S, HUFA76432S3ST, HUFA76437P3, HUFA76437S3S, HUFA76437S3ST, HUFA76439P3, HUFA76439S3S, AO4407, HUFA76443P3, HUFA76443S3S, HUFA76445P3, HUFA76445S3S, HUFA76445S3ST, HUFA76609D3, HUFA76609D3S, HUFA76609D3ST