HUFA76445S3S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76445S3S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76445S3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76445S3S даташит

 ..1. Size:210K  fairchild semi
hufa76445p3 hufa76445s3s hufa76445s3st.pdfpdf_icon

HUFA76445S3S

HUFA76445P3, HUFA76445S3S Data Sheet January 2002 75A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.0065 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0075 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

 6.1. Size:210K  fairchild semi
hufa76443p3 hufa76443s3s.pdfpdf_icon

HUFA76445S3S

HUF76443P3, HUF76443S3S Data Sheet December 2001 75A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.008 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.0095 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE E

 7.1. Size:206K  fairchild semi
hufa76409p3.pdfpdf_icon

HUFA76445S3S

HUFA76409P3 Data Sheet December 2001 17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.062 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.070 , VGS = 5V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN - Spice and SABER Thermal Impedance

 7.2. Size:194K  fairchild semi
hufa76419d3s.pdfpdf_icon

HUFA76445S3S

HUFA76419D3, HUFA76419D3S Data Sheet December 2001 20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Packaging Features JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.037 , VGS = 10V DRAIN DRAIN - rDS(ON) = 0.043 , VGS = 5V SOURCE (FLANGE) (FLANGE) DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER

Другие IGBT... HUFA76437S3S, HUFA76437S3ST, HUFA76439P3, HUFA76439S3S, HUFA76439S3ST, HUFA76443P3, HUFA76443S3S, HUFA76445P3, IRF1407, HUFA76445S3ST, HUFA76609D3, HUFA76609D3S, HUFA76609D3ST, HUFA76619D3, HUFA76619D3S, HUFA76619D3ST, HUFA76629D3