HUFA76609D3ST datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA76609D3ST  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA76609D3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76609D3ST даташит

 ..1. Size:208K  fairchild semi
 hufa76609d3st hufa76609d3 hufa76609d3s.pdf pdf_icon

HUFA76609D3ST

 3.1. Size:828K  cn vbsemi
 hufa76609d3.pdf pdf_icon

HUFA76609D3ST

HUFA76609D3 www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 0.115 at VGS = 10 V 15 100 % Rg Tested 100 0.120 at VGS = 6 V 15 APPLICATIONS Primary Side Switch TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwi

 7.1. Size:217K  fairchild semi
 hufa76639p3 hufa76639s3s hufa76639s3st.pdf pdf_icon

HUFA76609D3ST

HUFA76639P3, HUFA76639S3S Data Sheet January 2002 50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.026 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 7.2. Size:217K  fairchild semi
 hufa76645p3 hufa76645s3s hufa76645s3st.pdf pdf_icon

HUFA76609D3ST

HUFA76645P3, HUFA76645S3S Data Sheet January 2002 75A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.015 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA76439S3ST, HUFA76443P3, HUFA76443S3S, HUFA76445P3, HUFA76445S3S, HUFA76445S3ST, HUFA76609D3, HUFA76609D3S, RFP50N06, HUFA76619D3, HUFA76619D3S, HUFA76619D3ST, HUFA76629D3, HUFA76629D3ST, HUFA76633P3, HUFA76633S3S, HUFA76633S3ST