Справочник MOSFET. HUFA76619D3

 

HUFA76619D3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUFA76619D3
   Маркировка: 76619D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO-251AA
 

 Аналог (замена) для HUFA76619D3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76619D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  fairchild semi
hufa76619d3st hufa76619d3 hufa76619d3s.pdfpdf_icon

HUFA76619D3

HUFA76619D3, HUFA76619D3SData Sheet January 200218A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAINDRAINSOURCE (FLANGE) (FLANGE)- rDS(ON) = 0.085, VGS = 10VDRAINGATE- rDS(ON) = 0.087, VGS = 5VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE

 7.1. Size:217K  fairchild semi
hufa76639p3 hufa76639s3s hufa76639s3st.pdfpdf_icon

HUFA76619D3

HUFA76639P3, HUFA76639S3SData Sheet January 200250A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.026, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

 7.2. Size:217K  fairchild semi
hufa76645p3 hufa76645s3s hufa76645s3st.pdfpdf_icon

HUFA76619D3

HUFA76645P3, HUFA76645S3SData Sheet January 200275A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE - rDS(ON) = 0.015, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical

 7.3. Size:302K  fairchild semi
hufa76645s3st f085.pdfpdf_icon

HUFA76619D3

HUFA76645S3ST_F085Data Sheet September 201075A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeatures Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-263AB- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.015, VGS = 5VDRAIN Simulation Models (FLANGE)- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Imped

Другие MOSFET... HUFA76443P3 , HUFA76443S3S , HUFA76445P3 , HUFA76445S3S , HUFA76445S3ST , HUFA76609D3 , HUFA76609D3S , HUFA76609D3ST , IRFZ46N , HUFA76619D3S , HUFA76619D3ST , HUFA76629D3 , HUFA76629D3ST , HUFA76633P3 , HUFA76633S3S , HUFA76633S3ST , HUFA76639P3 .

History: CHM4282JGP

 

 
Back to Top

 


 
.