Справочник MOSFET. IXTP8N50MB

 

IXTP8N50MB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTP8N50MB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXTP8N50MB

 

 

IXTP8N50MB Datasheet (PDF)

 6.1. Size:106K  ixys
ixtp8n50pm.pdf

IXTP8N50MB IXTP8N50MB

Preliminary Technical InformationIXTP 8N50PM VDSS = 500 VPolarHVTMID25 = 4 APower MOSFET RDS(on) 0.8 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsOVERMOLDED TO-220(IXTP...M) OUTLINEVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGS

 6.2. Size:229K  ixys
ixta8n50p ixtp8n50p.pdf

IXTP8N50MB IXTP8N50MB

IXTA 8N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 8N50P ID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 0.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VGVGS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 TC = 25 C8 AIDM

 8.1. Size:238K  ixys
ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf

IXTP8N50MB IXTP8N50MB

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY8N65X2Power MOSFET ID25 = 8AIXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

 8.2. Size:116K  ixys
ixtp8n65x2m.pdf

IXTP8N50MB IXTP8N50MB

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTP8N65X2MPower MOSFET ID25 = 4A RDS(on) 550m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeOVERMOLDEDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGDSVGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE70T1K2I

 

 
Back to Top