HUFA76639S3ST. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUFA76639S3ST

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 207 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для HUFA76639S3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA76639S3ST даташит

 ..1. Size:217K  fairchild semi
 hufa76639p3 hufa76639s3s hufa76639s3st.pdf pdf_icon

HUFA76639S3ST

HUFA76639P3, HUFA76639S3S Data Sheet January 2002 50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.026 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.027 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 6.1. Size:217K  fairchild semi
 hufa76633p3 hufa76633s3s hufa76633s3st.pdf pdf_icon

HUFA76639S3ST

HUFA76633P3, HUFA76633S3S Data Sheet January 2002 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.036 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

 7.1. Size:217K  fairchild semi
 hufa76645p3 hufa76645s3s hufa76645s3st.pdf pdf_icon

HUFA76639S3ST

HUFA76645P3, HUFA76645S3S Data Sheet January 2002 75A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.015 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical

 7.2. Size:302K  fairchild semi
 hufa76645s3st f085.pdf pdf_icon

HUFA76639S3ST

HUFA76645S3ST_F085 Data Sheet September 2010 75A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features Ultra Low On-Resistance JEDEC TO-263AB - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V - rDS(ON) = 0.015 , VGS = 5V DRAIN Simulation Models (FLANGE) - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models GATE - Spice and SABER Thermal Imped

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA76619D3ST, HUFA76629D3, HUFA76629D3ST, HUFA76633P3, HUFA76633S3S, HUFA76633S3ST, HUFA76639P3, HUFA76639S3S, P60NF06, HUFA76645P3, HUFA76645S3S, HUFA76645S3ST, VTI634, WFD1N60, WFD20N06, WFD2N60, WFD2N60B